透明电磁防护与隐身超材料

随着科学技术和电子工业的发展，电磁波辐射的干扰问题在民用和军用方面均受到广泛关注，因此，电磁屏蔽与吸波材料在社会生活和国防建设中起到重要作用，如吸波材料涉及在军事隐身技术、航空等。针对具有雷达波隐身功能的红外窗口需要具有高屏蔽效能、高透光率的透明屏蔽材料。研究高透明度、高屏蔽效能、超柔性的隐身材料将具有重要战略意义。现有主要的隐身材料中的透明导电材料主要采用的是ITO(Indium Tin Oxide)，但其存在红外区透光率低、表面方阻一般在几十欧方、不可绕折等问题。而采用现有镀膜蚀刻工艺制备的金属网栅则无法达到高透明度要求。本项目团队突破了微纳制造核心关键技术及工艺，自主研发了选择性纳米沉积技术，开发了无基材镂空、超薄、超柔性的金属微网栅，微网栅线宽3~10um可调、网栅图形任意可调，可实现透光率>80%,表面方阻<0.1欧方，30MHz~20GHz范围>40db的屏蔽效能，可任意折叠、可与玻璃、塑料、布料等各种材料进行复合。自主研发系列大幅面微纳图形化光刻设备，具有业内领先的微纳柔性研发设施，是中国唯一具有米级幅面纯金属柔性透明导电材料和高性能透明屏蔽膜研发（设计与制造）能力的单位。高性能电磁超材料将成为微波隐身和屏蔽提供了关键材料。